外延矽片的生成用炭素製品

外延矽片的生成用炭素製品近年來生產單晶矽也趨向大型化，開始拉伸直徑12in的單晶矽。使用的熱區範圍多在32in左右使用的炭素製品為與石英坩堝相匹配、蜜桃视频APP网站入口坩堝外徑約為φ860mm、加熱器約為1000m，其他部件最大的為直徑1500mm隨著大型化，作為取代蜜桃视频APP网站入口坯料的C/C複合材料的使用漸漸擴大，同時為了提高爐內的純度，使用SiC塗層部件的傾向也在增加。圖2-7所示為C/C複合材料坩堝的例子。因為CZ單晶爐內大量使用炭素製品，並且炭素製品的質量直接影響到單晶矽的質量，特別是液麵以上的部件最好使用超高純產品。

外延矽片生成用炭素製品

把單晶矽棒切成矽片進行拋光處理後就成為拋光片。製造半導體器件時使用下列3種矽片:（1）拋光片；（2）在拋光片表麵生成單晶矽的外延片；（3）在絕緣體上生成單晶矽層的OI（ Silicon On Insula-tor）矽片。炭素製品在外延片製造時使用。其方式為在石英容器內通入矽烷係列的氣體、減壓下加熱到1000℃，在拋光片上以CVD法在片基板上形成有與單晶矽片相同結晶方位薄膜的方法，此時所用的工裝基盤材料是用VD法生成SiC塗層的高純各向同性蜜桃视频APP网站入口。這樣做的理由是蜜桃视频APP网站入口具有自身高溫強度高、熱傳導性良好、加工性能好的特性，在此基礎上通過SiC塗層處理提高其表麵純度可以大幅度降低蜜桃视频APP网站入口的氣體發生量和發塵量。根據不同的裝置，蜜桃视频APP网站入口基座的形狀分為水平式、圓盤式和立柱式3種。蜜桃视频APP网站入口基座的形狀和外延爐的構造如圖所示最近，由於矽片的大直徑化，又開發了對每片矽片進行單獨處理的片葉式外延裝置，其基座也使用SiC塗層的高純蜜桃视频APP网站入口。